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六氟磷酸鋰 2-吲哚酮 β-巰基乙醇 二甲胺基丙胺二異丙醇 DDQ 溴代異戊烷 N-羥甲基丙烯酰胺 碳酸鋯銨
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高純特種氣體及用途介紹


特種氣體在現代生活中運用廣泛,工廠、醫療、食品、娛樂等都涵蓋,下面介紹下特種氣體包括些什么:
  1、氮氣-N2,純度要求>99.999%,用作標準氣體、在線儀表標準氣、校正氣、零點氣、平衡氣;用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣相淀積、離子注入、等離子干刻、光刻,退火 搭接、燒結等工序;電器、食品包裝,化學等工業也要用氮氣。
  2、氧氣-O2,>99.995%,用作標準氣體、在線儀表標準氣體、校正氣、零點氣;還可用于醫療氣,在半導體器件制備工藝中用于熱氧化,擴散、化學氣相淀積、等離子干刻等工序,以及用于光導纖維的制備。
  3、氬氣-Ar,>99.999%,用作標準氣體、零點氣、平衡氣;甩于半導體器件制備工藝中晶體生長、熱氧化、外延,擴散、氮化,噴射,等離子干刻、載流、退火搭接,燒結等工序;特種混合氣與工業混合氣也使用氬。
  4、氫氣-H2,> 99.999%,用作標準氣體、零點氣、平衡氣、校正氣、在線儀表標準氣; 在半導體器件制備工藝中用于晶體生長,熱氧化,外延、擴散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結等工序;在化學,冶金等工業中也有用。
  5、氦氣-He,>99.999% ,用作標準氣體、零點氣 平衡氣,校正氣、醫療氣、用于半導體器件錯備工藝中晶體生長,等離子干刻 載流等工序;另外,特種混合氣與工業混臺氣也常用.
  6、氯氣-Cl2,>99.86 %,用作標準氣體,校正氣,用于半導體器件制備工藝中晶體生長、等離子干刻、熱氧化等工序;另外,用于水凈化,紙漿與紡織品的漂白、工業廢品、污水、 游泳池的衛生處理,制備許多化學產品。
  7、氟氣-F2,>98% 用于半導體器件制備工藝中等離子干刻;另外,用于制備六氟化鈾、六氟化硫、三氟化硼和金屬氟化物等。
  8、氨氣-NH3,>99.995%,用作標準氣體、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中氮化工序,另外,用于制冷、化肥,石油、采礦、橡膠等工業。
  9、氯化氫-HCI,>99.995% ,用作標準氣體,用于半導休器件制備工藝中外延、熱氧化、擴散等工序;另外,用于橡膠氯氫化反應中的化學中間體、生產乙烯基和烷基氯化物時起氧氯化作用。
  10、一氧化氮-N0,>99%,用作標準氣體,校正氣;用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序,制備監控大氣污染的標準混合氣。
  11、二氧化碳-CO2,>99.99% ,用作標準氣體、在線儀表標準氣體,校正氣;用于半導體器件制備工藝中氧化,載流工序,另外,還用于特種混合氣、發電,氣體置換處理、殺菌氣體稀釋劑、滅火劑、食品冷凍、金屬冷處理 ,飲料充氣,煙霧噴射劑,食品貯存保護氣等。
  12、氧化亞氮-N2O,(即笑氣),>99.999% 用作標準氣體、醫療氣; 用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積、醫用麻醉劑、煙霧噴射劑、真空和帶壓檢漏,紅外光譜分析儀等也用。
  13、硫化氫-H2S,>99.999%,用作標準氣體,校正氣,用于半導體器件制備工藝中等離子干刻,化學工業中用于制備硫化物,如硫化鈉, 硫化有機物;用作溶劑;實驗定量分析用。
  14、四氯化碳-CCl4,>99.99%,用作標準氣體, 用于半導體器件制備工藝中外延,化學氣相淀積等工序;另外用作溶劑,有機物的氯化劑,香料的浸出劑,纖維的脫脂劑、滅火劑、分析試劑、制備氯仿和藥物等。
  15、氰化氫-HCN,>99.9%,用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;制備氫氰酸溶液;金屬氰化物、氰氯化物;也用于制備丙烯腈和丙烯衍生物的合成中間體。
  16、碳酰氟-COF2,>99.99% ,用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;另外;用作氟化劑。
  17.碳酰硫-COS,>99.99% ,用作校正氣;用于半導體器件制備工藝中離子注入工序; 也用于有些羧基、硫代酸、硫代碳酸鹽和噻唑的合成。
  18.碘化氫-HI,>99.95% ,用于半導體器件制備工藝中離子注入工序;還用于氫碘酸溶液制備。
  19.溴化氫-HBr,>99.9%,用于半導體制備工藝中等離子干刻工序;用作還原劑,制備有機及無機溴化合物。
  2O,硅烷-SiH4,>99.999%,電阻率>100Ω /cm2 ,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積等工序。
  21.乙硅烷-Si2H6 ,>99.9% ,用于半導體制備工藝中化學氣相淀積
  22.磷烷-PH3,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、化學氣
  相淀積、離子注入等工序:磷烷與二氧化碳混合的低濃度氣體,可用于殺死糧倉的蟲卵和制備阻火化合物。
  23.砷烷-AsH3,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中外延、擴敷、化學氣相淀積、離子注入等工序。
  24.硼烷-B2H6 ,>99.995% ,用于半導體器件制備工藝中外延、擴散、氧化等工序;用于有些化學工業合成過程:如氫硼化反應(即生成醇類),有機功能的衰退,制備較高的硼烷衍生物和碳甲硼烷化合物。
  25.鍺烷-GeH4 ,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
  26.銻烷-SbH3 ,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、離子注入工序。
  27.四氧甲硅烷-si(OC2H5)4,>99.99‰ 用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
  28.乙烷-C2H6,>99.99%,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;還用于冶金工業的熱處理,化學工業中制備乙醇、氧化乙二醇、氯乙烯、高醇類、乙醛等。
  29.丙烷-C3H8,>99.99% ,用作標準氣、校正氣、在線儀表標準氣;用于半導體器件制備工藝中等離子干刻工序;另外,用于燃料、冷凍劑、制備乙烯與丙烯的原料。
  30.硒化氫-H2Se,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序.
  31.碲化氧-H2Te,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中擴散、離子注入工序.
  32.二氯二氫硅-siH2cl2,>99.999%,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
  33.三氯氫硅-siHCl3,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
  34.二甲基碲-(CH3)2Te,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中擴散.離子注入工序。
  35.二乙基碲-(C2H5)2Te,>99.999% ,用途同(34)。
  36.二甲基鋅-(CH6)2Zn,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中化學氣相淀積工序。
  37.二乙基鋅->99.999% ,用途同(36)。
  38.三氯化磷-Pcl3,>99.99% ,用于半導體器件制備工藝中擴散,鍺的外延生長和離子注入工藝-PCI 是有機物的良好氯化劑,也用于含磷有機物的合成。
  39.三氯化砷- AsCl3,>99.99%,用于半導體器件制備工藝中的外延和離子注入。
  40.三氯化硼-Bcl3,>99.99%,用于等離子干刻、擴散;作硼載氣及一些有機反應的催化劑|精煉鎂、鋅、鋁、銅合金時從溶化金屬中除掉氮、碳,氧化合物。
  41、四氯化硅-SiCl4,>99.999% ,用于半導體器件制備工藝中外延、化學氣相淀積工序。
  42、四氯化錫-SnCl4,>99.9% ,用于外延,離子注入。
  43、四氯化鍺-Gecl4 ,>99.999%,用于離子注入。
  44、四氯化鈦-TiCl4,>99.99%,用于等離子干刻。
  45、五氯化磷-PCl5 ,>99.99%,用于外延、離子注入。
  46、五氯化銻-SbCl6 ,>99.99%,用于外延、離子注入。
  47、六氯化鉬-MoCl6 ,>99.9% ,用于化學氣相淀積。
  48、三溴化硼-BBr3,>99.99% ,用于半導體器件制備工藝中離子注入工序和制備光導纖維。
  49、三溴化磷-PBr3 ,>99.99%,用于外延、離子注入。
  50、磷酰氯-POCl3,>99.999%,用于擴散工序。
  51、三氟化硼-BF3,>99.99%,用于離子注入,另外,可作載氣、某些有機反應的催化劑,精煉鎂,鋅、鋁、銅合金時從熔化金屬中除掉氮,氧、碳化物。
  52、三氟化磷-PF3,>99% ,用于外延、離子注入工序;另外用作氟化劑。
  53、三氟化砷-AsF3,>99.9% ,用途同(12)
  54、二氟化氙-xeF2,>99.9% ,用于外延、離子注入工序,用于固定模具氙的考察及原子反應堆排放廢氣中氙的測定。
  55、三氟氯甲烷-(R一13),99.995%,用于等離子干刻工序;冷凍劑、空調均可用。
  56、三氟甲烷-CHF3,(R一23),>99.999%, 用于等離子干刻工序;低溫冷凍劑。
  57、三氟化氮-NF3,>99.99%,用于等離子干刻工序|火箭推進劑、氟化劑。
  58、三氟溴甲烷-CBrF3 ,(R13B1),>99.99% ,用于等離子干刻工序;還用于空調、低溫冷凍及滅火劑。
  59、三氟化硼,>99.99% ,用于離子注入工序;還用于制備光導纖維。
  60、四氟化碳- CF4 ,(R一14),>99.99% ,用于等離子干刻工序;在很低溫度下作為低溫流體用,也用于中性及惰性氣體。

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